国产存储芯片，突围进行时

（原标题：国产存储芯片，突围进行时）2023年7月11日-13日，上海慕尼黑电子展在国家会展中心盛大开幕，东芯半导体股份有限公司（下称：东芯半导体）携旗下存储芯片产品重磅亮相。东芯半导体慕展展位在展会现场，东芯半导体主要展示了SPI NAND Flash、PPI NAND Flash、SPI NOR Flash、DDR3、MCP等五大产品线，针对不同应用领域划分了多个区域，让参会观众和行业伙伴更直观地了解到东芯针对消费电子、安防监控、工业控制、网络通讯、汽车电子等热门领域所推出的对应产品和实际应用，致力于为客户提供更高品质的存储产品及解决方案。东芯半导体热门应用领域展位长期以来，东芯半导体积极布局高可靠性领域应用，其部分产品已经通过AEC-Q100认证，依托下游应用领域如5G、物联网、人工智能、机器视觉等市场需求，不断提高产品在网络通讯、物联网、工业控制及监控安防等高端应用领域的渗透率。展会现场也展示了如5G CPE 、企业网管、扫地机器人、便携式打印机等多个热门领域应用解决方案，东芯半导体持续坚持创新，旨在为日益发展的存储需求提供高效可靠的解决方案。存储芯片市场，喜忧参半作为半导体产业三大支柱之一，存储芯片的重要性无需多言，在消费电子、智能终端、数据中心等诸多领域均有着非常广泛的应用。但从市场层面来看，在经历过前两年半导体行业“缺芯潮”的火热需求之后，存储市场已经逐渐冷却。2022年，尤其是去年下半年以来，存储芯片市场下行趋势愈发明显，急速反转的供需关系、直线下滑的需求，让整个供应链都措手不及，数家芯片巨头纷纷拉响业绩警报。时间来到2023年，半导体市场仍面临下行压力。为缓解库存压力，存储芯片厂商相继实行减产和降价策略，市场规模有所下降。据WSTS报告预测，2023年存储芯片预计将比2022年减少17%。然而，存储市场疲软态势下，并非没有好消息。虽然PC和智能手机等产品销量一路走低，随着大数据、云计算、物联网等应用领域及终端产品的快速发展，以及AI、新能源汽车产业的持续火热，将进一步带动存储芯片需求的不断增加，有望加速存储市场回暖复苏。7月12日，东芯半导体副总经理陈磊在上海慕尼黑电子展上进行了以《布局高可靠性领域，5G+IoT时代仍是好机遇》为主题的演讲，分享了在5G+IoT的时代趋势下，国产存储芯片如何布局高可靠性领域，助力赋能新兴应用发展。东芯半导体副总经理陈磊正如上文所述，陈磊表示，全球进入5G时代已满4年，5G进入发展“快车道”，商用范围不断扩展。据统计，随着基础设施建设的稳步推进，2022年全球5G基础设施市场规模接近300亿美元，全球5G基站出货量超140万个，中国市场出货占比超过60%。随着5G技术创新速度加快，终端形态日益丰富，加速物联网市场创新发展。据中国物联网行业运营态势与投资前景调查研究报告显示，2019年-2025年全球物联网链接数量将呈现快速增长趋势。预计2023年全球物联网连接数将达158亿个，同比增长17.04%。在当前万物互联的智能时代，5G、AI、云计算等领域发展迅速，庞大的数据潮构成了新基建的“基本面”，给存储芯片市场带来新的发展机遇。而东芯半导体作为国内领先的存储芯片设计公司，正在这一趋势下迎来发展契机。东芯半导体的产品布局与技术优势东芯半导体成立于2014年，作为Fabless芯片企业，聚焦于中小容量NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片的研发、设计和销售，是国内少数能同时提供NAND、NOR、DRAM设计工艺和产品方案的本土存储芯片研发设计公司。据陈磊介绍，东芯半导体目前已经完成了存储芯片多产品线的全覆盖，技术自主性强，具备可持续的技术创新能力。SLC NAND Flash其中，以SPI/PPI类型接口为主的SLC NAND Flash是东芯半导体的主打产品。据财报披露，2019年至2022年，公司NAND类产品营业收入从2019年的1.48亿元增长至7.08亿元，营收占比从29%增长到62%，已成为东芯半导体的核心拳头产品。东芯半导体慕展现场展品据介绍，东芯半导体产品核心技术优势明显，尤其是SPI NAND Flash，东芯采用了单芯片设计的串行通信方案，引脚少、封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，并带有内部ECC模块，使其在满足数据传输效率的同时，既节约了空间又提升了稳定性；SPI NAND Flash核心技术明显同时产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次，同时可在-40℃-105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。而PPI NAND Flash兼容传统的并行接口标准，还具备高可靠性，产品存储容量覆盖1Gb到16Gb，搭配3.3V/1.8V两种电压，可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。SPI NOR Flash在NOR Flash方面，东芯半导体可提供通用SPI接口、不同规格的NOR Flash，聚焦于大容量低功耗，容量从64Mb到1Gb，1.8V/ 3.3V两种电压，支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式、DTR传输模式和多种封装方式，适用于4G模组、功能手机、智能手表手环以及TWS耳机等诸多场景。DRAM东芯半导体的DRAM产品则主要针对利基型市场的中小容量DRAM，研发的DDR3（L）具有高带宽、高传输速率、低延时等特点，可提供1.5V/1.35V两种电压模式，在网络通讯、移动终端等领域应用广泛；LPDDR系列产品则凭借低功耗、高传输速度等优势，多应用于移动互联网、物联网、可穿戴设备等领域。MCP对于MCP产品，陈磊表示，东芯半导体将闪存芯片和DRAM合二为一进行封装，简化走线设计，节省组装空间，高效集成电路，提高产品稳定性，且Flash和DDR均为低电压的设计，核心电压1.8V，主要用于空间受限的电子产品，比如功能手机、MIFI、网络电话、POS机等移动终端和通讯设备领域。东芯半导体存储产品线能够看到，在多个不同的存储领域中，东芯已经有了丰富的研发成果。在此基础上，东芯半导体坚持创新，持续优化产品性能，扩大产品线布局。目前，SLC NAND已实现国际领先的1xnm工艺，拥有了向1xnm制程进一步迈进的经验积累和技术储备；SPI NOR也已逐步迭代至48nm水准，推进公司产品制程进一步升级，增加产品市场竞争力，与国际领先水平并驾齐驱，未来将继续向512Mb、1Gb等更高容量新产品开发；DRAM方面，东芯半导体将持续开发更先进工艺制程下的DRAM产品，其设计研发的LPDDR4X及PSRAM产品均已完成工程样片并已通过客户验证，未来将继续在DRAM领域进行新产品的研发设计，助力公司产品多样性发展。此外，在近年来重要性愈发突出的汽车领域，东芯半导体也在积极推动车规级存储芯片的研发与后续产品的落地。据介绍，在车规级产品领域，东芯半导体SLC NAND产品工艺制程可以达到38nm，并能在-40℃到 105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，主要应用于车机；NOR Flash产品是在基于48nm制程的工艺上进行开发，主要是应用在汽车仪表盘快速启动的部分。据了解，2022年底，东芯半导体38nm SLC NAND Flash和 48nm NOR Flash车规芯片已通过AEC-Q100测试。陈磊强调，在布局车规级产品过程中，公司还要持续推进内部车规质量体系的建立，帮助供应商完善车规管理体系，持续加强产品可靠性及生产制程的监控力度。据了解，凭借在工艺制程及性能等方面的出色表现，东芯半导体的存储芯片已获得多家知名平台厂商认证，进入国内外知名客户的供应链体系，被广泛应用于通讯设备、安防监控、工业控制、可穿戴设备、移动终端等终端产品，为智能互联时代的联接与计算赋能。未来，东芯半导体将持续专注于高可靠性领域，提升高端应用领域渗透率。东芯半导体的突围秘诀陈磊表示，东芯半导体之所以能够取得如此优异的成绩，除了产品线布局的不断丰富，还在于公司保障了供应链的稳定，同时研发成果符合市场需求并持续与产业发展深度融合。据了解，东芯打造了具有“本土深度，全球广度”的供应链体系，与多家知名代工厂都建立了紧密合作，与紫光宏茂、华润安盛、南茂科技、Powertech technology、AT Semicon等知名封测厂合作关系稳定，形成了从设计到产业化的一站式解决方案，满足客户对存储芯片的特定需求。在可预见的未来，东芯半导体所构筑的健全的全球化供应链，能满足不同客户的更多需求，在市场中形成自身的优势。此外，东芯半导体还始终聚焦在强化质量管理，提供优质服务，秉持着“品质”“竞争力”“客户满意”“持续改进”的质量方针，围绕产品研发、产品生产、客户服务等方面打造良好的处理闭环，聚焦存储领域打造核心竞争力，着眼公司可持续发展。产品研发方面：东芯半导体重视技术研发，持续加大研发投入。2022年，东芯半导体在研发上共投入1.10亿元，同比增长47.46%，占当期营业收入9.63%，而研发与技术团队规模达到 130 人，数量上较去年同期上涨 49.43%。产品生产环节：不断优化服务流程和运营系统，持续提升相应的产品质量与服务质量管理体系，能够为全球客户第一时间提供高效的服务支持；针对关键工艺细节管控及关键原材料把关，持续加强与代工厂的深入合作，整合各方资源，优化整体制造环境，不断提升产品生产制造品质。客户服务方面：通过“客户技术支持的服务规范-客户投诉处理流程-不合格产品管控程序-产品失效分析程序”等流程，旨在高效率、高质量地应对不同客户的服务需求，将客户服务理念贯穿到产品研发至售后的各个环节，在内部形成一个良好的处理闭环，持续提升品质管控体系，推动公司产品不断精益求精。此外，东芯半导体高度重视知识产权的自主性与完整性，经过多年持续不断的研发和创新，拥有多项发明专利，相关专利自主完整、权属清晰。据财报披露，截至2022年末，东芯半导体共拥有境内外有效专利70项、软件著作权13项、集成电路布图设计权68项、注册商标11项，累计申请境内外专利150项，获得专利授权69项，专利涉及NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片的设计核心环节，企业厚积薄发之势愈发明显。陈磊指出，基于这些自主完整的知识产权，东芯半导体还能根据客户需求定制其所需要的存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案，帮助客户降低产品开发时间和成本，提高产品开发效率。而在为客户进行定制化产品过程中，东芯半导体不断深入了解市场需求，接收客户反馈，已经建立了 “研发-转化-创新”的技术发展循环，有利于公司进一步增强技术研发实力。作为全球消费电子的晴雨表，当前存储芯片市场的“寒冬”仍未结束。但毫无疑问，从长远角度来看，存储芯片产业的前景是毋庸置疑的。随着新兴技术和应用领域持续蓬勃发展，将给存储芯片带来更大的市场需求，给存储厂商带来新的发展契机。在存储市场的全新需求下，中国存储芯片市场空间将持续扩容。然而，面对中国大陆存储芯片自给率不到15%的被动局面，未来几年，国产替代或将迎来强劲需求。面对当前存储芯片行业的周期波动和国产替代趋势，本土厂商首先要做的就是提升自身技术硬实力。东芯半导体作为中国领先的存储芯片设计企业，未来将专注于创新产品，并持续开拓新领域。“一方面，东芯半导体旨在通过微缩产品制程，持续缩小与国际竞争对手的差距；优化产品结构，聚焦高附加值产品。另一方面，在市场机遇下，要深入了解市场需求，持续创新改进，力争在国产替代的浪潮下大有可为。”陈磊补充道。