纳米压印技术(成功替代EUV光刻机？佳能纳米压印光刻机或开启商用化)

纳米压印光刻（NIL）是潜在的 EUV 光刻机的竞争者。根据最新资料，NIL 已经可以实现大面积量产能力。而大日本印刷（DNP）展示了一幅电子显微镜照片，显示 NIL 已经可以达到14 纳米的线宽分辨率，相当于达到 5 nm 芯片制程的能力。

这一消息是2022年5月10日，在大日本印刷公司主页展示的材料里说明的，彼时大日本印刷公司携同佳能、铠侠共同获得由国立环境研究所/日刊工业新闻社主办、日本环境部赞助的“环境奖”，以表彰他们成功地将半导体制造中曝光工艺的功耗抑制在传统方法的1/10左右。

因此，这项技术将为半导体制造商实现碳中和做出重大贡献，包括降低制造成本。

众所周知，纳米压印光刻是一种技术，使用超细凹凸图案的树脂，将电路板上涂覆的树脂压接在形成电路图案的模板（板）上，形成纳米级电路图案。

通俗来说，就是盖一个章，然后把图案定型下来，所以它不需要复杂的光学系统，更不需要 EUV 光刻机那样庞大的、高功率的 EUV 的光源系统，因此其系统要精简很多。

此前，2017年，佳能已经向半导体存储器的领先公司东芝内存的横须贺工厂交付了首台“FPA-1200NZ2C”半导体制造设备，使得该工厂使用纳米压印技术进行研发。 这将大大加快使用纳米压印技术大规模生产半导体器件的努力。

目前，根据大日本印刷披露的情况，NIL 的大规模生产已经达到可用水平。根据披露的成本数据，NIL 成本仅相当于浸没式DUV光刻机的60%，相当于 EUV 光刻机的 77%。

目前，大日本印刷官网已经提供 NIL 技术的咨询服务。

NIL 技术最核心的部分便是纳米压印模板，而大日本印刷的核心技术便是制造超精细纳米压印模板，该公司目前可以提供小于 20 nm 分辨率的 NIL 模板。

大日本印刷在制造纳米压印模板上有超过50年的历史，拥有深厚的技术积累。

该公司在1970年便使用了当时最先进的微加工技术，在1.5平方厘米的硅片内雕刻了100年的日历。

而时至今日，该公司已经可以在1.5平方厘米内绘制“100万年日历”的水平。

NIL 技术已经展示了其在高精度半导体图案成型上的匹敌EUV光刻机的能力。

佳能在2022年10月6日宣布，将在宇都工建设半导体光刻设备的新工厂，预计2023年开工，2025年上半年建成。预计在这里，将生产用于半导体光刻的 NIL 光刻机。

不出意外的话，经过二十年的攻关，佳能可能完成了一个看似不可能的任务--用 NIL光刻机取代EUV光刻机！