东芯股份- 海通证券股份有限公司关于东芯半导体股份有限公司2022年度持续督导年度跟踪报告

    海通证券股份有限公司关于东芯半导体股份有限公司保荐机构名称：海通证券股份有限公司 被保荐公司简称：东芯股份保荐代表人姓名：张坤、陈城                 被保荐公司代码：688110   经中国证券监督管理委员会同意注册（证监许可〔2021〕3558 号《关于同意东芯半导体股份有限公司首次公开发行股票注册的批复》），东芯半导体股份有限公司（以下简称“上市公司”、“公司”或“东芯股份”）首次公开发行股票金总额为 333,677.44 万元，扣除发行费用后募集资金净额为 306,358.16 万元。东芯股份首次公开发行证券已于 2021 年 12 月 10 日在上海证券交易所科创板上市。海通证券股份有限公司（以下简称“保荐机构”或“海通证券”）担任其持续督导保荐机构，持续督导期间为 2021 年 12 月 10 日至 2024 年 12 月 31 日。   在 2022 年 1 月 1 日至 2022 年 12 月 31 日持续督导期内（以下简称“本持续督导期间”），保荐机构及保荐代表人按照《证券发行上市保荐业务管理办法》（以下简称“保荐办法”）、            《上海证券交易所科创板股票上市规则》等相关规定，通过日常沟通、定期回访、现场检查、尽职调查等方式进行持续督导，现就 2022年度持续督导情况报告如下：   一、2022 年保荐机构持续督导工作情况          项 目                          工作内容并针对具体的持续督导工作制定相应的工作           作制度，并针对具体的持续督导工作制定相应计划。                           的工作计划。作开始前，与上市公司或相关当事人签署持续 明确了双方在持续督导期间的权利和义务，并         项 目                              工作内容督导协议，明确双方在持续督导期间的权利义 已报上海证券交易所备案。本持续督导期间，务，并报上海证券交易所备案。持续督导期间， 未发生对协议内容做出修改或终止协议的情协议相关方对协议内容做出修改的，应于修改 况。后五个交易日内报上海证券交易所备案。终止协议的，协议相关方应自终止之日起五个交易日内向上海证券交易所报告，并说明原因。                     本持续督导期间，上市公司未发生需公开发表违法违规事项公开发表声明的，应于披露前向                     声明的违法违规事项。上海证券交易所报告，并经审核后予以披露。现违法违规、违背承诺等事项的，应自发现或 本持续督导期间，上市公司及相关当事人未出应当发现之日起五个交易日内向上海证券交 现需报告的违法违规、违背承诺等事项。易所报告。                            本持续督导期间，保荐机构通过日常沟通、定                            期或不定期回访、现场检查、尽职调查等方式，                            对上市公司开展持续督导工作。其中，保荐机职调查等方式开展持续督导工作。                            构于 2023 年 4 月 11 日至 2023 年 4 月 14 日对                            上市公司进行了现场检查。履行、分红回报等制度。                 作、承诺履行、分红回报等制度。                     保荐机构持续督促、指导上市公司及其董事、                     监事、高级管理人员，本持续督导期间，上市人员遵守法律、法规、部门规章和上海证券交                     公司及其董事、监事、高级管理人员能够遵守易所发布的业务规则及其他规范性文件，并切                     相关法律法规的要求，并切实履行其所做出的实履行其所做出的各项承诺。                     各项承诺。理制度，包括但不限于股东大会、董事会、监        市公司《公司章程》、三会议事规则等制度符事会议事规则以及董事、监事和高级管理人员        合相关法规要求，本持续督导期间，上市公司的行为规范等。                     有效执行了相关治理制度。度，包括但不限于财务管理制度、会计核算制                     核查了上市公司内控制度建立与执行情况，上度和内部审计制度，以及募集资金使用、关联                     市公司内控制度符合相关法规要求，本持续督交易、对外担保、对外投资、衍生品交易、对                     导期间，上市公司有效执行了相关内控制度。子公司的控制等重大经营决策的程序与规则等。                            保荐机构督促上市公司严格执行信息披露制露制度，审阅信息披露文件及其他相关文件，                            度，审阅信息披露文件及其他相关文件，详见并有充分理由确信上市公司向上海证券交易                            “二、保荐机构对上市公司信息披露审阅的情所提交的文件不存在虚假记载、误导性陈述或                            况”。重大遗漏。会、上海证券交易所提交的其他文件进行事前 的情况”。         项 目                       工作内容审阅，对存在问题的信息披露文件应及时督促上市公司予以更正或补充，上市公司不予更正或补充的，应及时向上海证券交易所报告。阅的，应在上市公司履行信息披露义务后五个交易日内，完成对有关文件的审阅工作，对存 详见“二、保荐机构对上市公司信息披露审阅在问题的信息披露文件应及时督促上市公司 的情况”。更正或补充，上市公司不予更正或补充的，应及时向上海证券交易所报告。董事、监事、高级管理人员受到中国证监会行        际控制人、董事、监事、高级管理人员未受到政处罚、上海证券交易所监管措施或纪律处分        中国证监会行政处罚、上海证券交易所纪律处的情况，并督促其完善内部控制制度，采取措        分或者被上海证券交易所出具监管关注函的施予以纠正。                      情况。履行承诺的情况，上市公司及控股股东、实际控制人等未履行承诺事项的，应及时向上海证券交易所报告。上市公司或其控股股东、实际控制人作出承诺的，保荐机构、保荐代表人应当督促其对承诺                            本持续督导期间，上市公司及控股股东、实际事项的具体内容、履约方式及时间、履约能力                            控制人等不存在未履行承诺的情况。分析、履约风险及对策、不能履约时的救济措                            上市公司或其控股股东、实际控制人已对承诺施等方面进行充分信息披露。                            事项的具体内容、履约方式及时间、履约能力保荐机构、保荐代表人应当针对前款规定的承                            分析、履约风险及对策、不能履约时的救济措诺披露事项，持续跟进相关主体履行承诺的进                            施等方面进行充分信息披露。展情况，督促相关主体及时、充分履行承诺。上市公司或其控股股东、实际控制人披露、履行或者变更承诺事项，不符合法律法规、上市规则以及上海证券交易所其他规定的，保荐机构和保荐代表人应当及时提出督导意见，并督促相关主体进行补正。针对市场传闻进行核查。经核查后发现上市公司存在应披露未披露的重大事项或与披露的                      本持续督导期间，上市公司未出现该等事项。信息与事实不符的，应及时督促上市公司如实披露或予以澄清；上市公司不予披露或澄清的，应及时向上海证券交易所报告。出说明并限期改正，同时向上海证券交易所报                      本持续督导期间，上市公司及相关主体未出现告：                      该等事项。（一）上市公司涉嫌违反《上市规则》等上海证券交易所相关业务规则；         项 目                              工作内容（二）中介机构及其签名人员出具的专业意见可能存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏等违法违规情形或其他不当情形；（三）上市公司出现《保荐办法》第七十一条、第七十二条规定的情形；（四）上市公司不配合保荐机构持续督导工作；（五）上海证券交易所或保荐机构认为需要报告的其他情形。确现场检查工作要求，确保现场检查工作质         计划，明确现场检查工作要求。其中，保荐机量。保荐机构对上市公司的定期现场检查每年        构于 2023 年 4 月 11 日至 2023 年 4 月 14 日对不应少于一次，负责该项目的两名保荐代表人        上市公司进行了现场检查，负责该项目的两名至少应有一人参加现场检查。               保荐代表人有 2 人参加了现场检查。（一）存在重大财务造假嫌疑；（二）控股股东、实际控制人及其关联人涉嫌资金占用；（三）可能存在违规担保；（四）控股股东、实际控制人及其关联人、董事、监事或者高级管理人员涉嫌侵占上市公司利益；（五）资金往来或者现金流存在重大异常；    本持续督导期间，上市公司未出现该等事项。（六）本所或者保荐人认为应当进行现场核查的其他事项。出现上述情形的，保荐机构及其保荐代表人应当督促公司核实并披露，同时应当自知道或者应当知道之日起 15 日内按规定进行专项现场核查。公司未及时披露的，保荐机构应当及时向上海证券交易所报告。                      本持续督导期间，上市公司及相关主体未出现能力、核心竞争力或者控制权稳定有重大不利                      该等事项。影响的风险或者负面事项，并发表意见                      本持续督导期间，上市公司及相关主体未出现促上市公司按照本规则规定履行核查、信息披                      该等事项。露等义务                      本持续督导期间，上市公司及相关主体未出现投资者合法权益的事项开展专项核查，并出具                      该等事项。现场核查报告机构、保荐代表人应当就相关事项对公司经营 该等事项。            项 目                           工作内容的影响以及是否存在其他未披露重大风险发表意见并披露：（一）主要业务停滞或出现可能导致主要业务停滞的重大风险事件；（二）资产被查封、扣押或冻结；（三）未能清偿到期债务；（四）实际控制人、董事长、总经理、财务负责人或核心技术人员涉嫌犯罪被司法机关采取强制措施；（五）涉及关联交易、为他人提供担保等重大事项；（六）本所或者保荐机构认为应当发表意见的其他情形。荐机构、保荐代表人应当就相关事项对公司核心竞争力和日常经营的影响，以及是否存在其他未披露重大风险发表意见并披露：（一）主要原材料供应或者产品销售出现重大不利变化；                           本持续督导期间，除 1 名核心技术人员离职外，（二）核心技术人员离职；                    上市公司及相关主体未出现其他该等事项。1（三）核心知识产权、特许经营权或者核心技            名核心技术人员离职未对公司的经营造成重术许可丧失、不能续期或者出现重大纠纷；             大不利影响。（四）主要产品研发失败；（五）核心竞争力丧失竞争优势或者市场出现具有明显优势的竞争者；（六）本所或者保荐机构认为应当发表意见的其他情形。                      保荐机构对上市公司募集资金的专户存储、募                      集资金的使用以及投资项目的实施等承诺事制度与执行情况、募集资金使用情况、投资项 户存储制度及募集资金监管协议，于 2022 年 8目的实施等承诺事项，对募集资金存放与使用 月 22 日至 2022 年 8 月 23 日、2023 年 4 月 11情况进行现场检查。             日至 2023 年 4 月 14 日对上市公司募集资金存                      放与使用情况进行了现场检查，并出具关于募                      集资金存放与使用情况的专项核查报告。级管理人员是否存在未依法规范运作，未切实            该等事项。保障投资者的合法权益，侵害投资者利益的情            （如有，应说明向及时向相关业务监管部门、况                               投资者保护机构报告的情况）         项 目                        工作内容                         份有限公司关于东芯半导体股份有限公司使                         用部分超募资金永久补充流动资金的核查意                         见》；                         份有限公司关于东芯半导体股份有限公司使                         用部分闲置募集资金进行现金管理的核查意                         见》 ；                         份有限公司关于东芯半导体股份有限公司使                         用自有资金方式支付募投项目所需资金并以                         募集资金等额置换的核查意见》       ；                         股份有限公司关于东芯半导体股份有限公司                         核心技术人员离职的核查意见》       ；                         股份有限公司关于东芯半导体股份有限公司                         见》 ；                         股份有限公司关于东芯半导体股份有限公司                         使用募集资金置换预先已投入募投项目自筹                         资金的核查意见》       ；                         股份有限公司关于东芯半导体股份有限公司                         调整核心技术人员的核查意见》       ；                         股份有限公司关于东芯半导体股份有限公司                         首次公开发行网下配售限售股上市流通的核                         查意见》   ；                         股份有限公司关于东芯半导体股份有限公司                         开展外汇套期保值业务事项的核查意见》        ；                         股份有限公司关于东芯半导体股份有限公司                         参与投资产业基金暨关联交易事项的核查意                         见》 ；                         股份有限公司关于东芯半导体股份有限公司                         首次公开发行部分限售股上市流通的核查意                         见》 。  二、保荐机构对上市公司信息披露审阅的情况  海通证券持续督导人员对上市公司本持续督导期间的信息披露文件进行了事先或事后审阅，包括股东大会会议决议及公告、董事会会议决议及公告、监事会会议决议及公告、募集资金使用和管理的相关报告和其他临时公告等文件，对信息披露文件的内容及格式、履行的相关程序进行了检查。  经核查，保荐机构认为，上市公司严格按照证券监督部门的相关规定进行信息披露，依法公开对外发布各类定期报告或临时报告，确保各项重大信息的披露真实、准确、完整、及时，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏。  三、重大风险事项  （1）核心竞争力风险  ①研发团队风险  集成电路设计行业属于人才密集型行业，需要相关人才具备扎实的专业知识、长期的技术沉淀和经验积累。研发团队的实力及稳定性是公司保持核心竞争力的基础，也是公司推进技术持续创新升级的关键。  截止报告期末，公司拥有研发与技术人员 130 人，占公司总人数的 55.56%。公司通过持续招募，培养，校企合作等方式，通过具备竞争力的薪酬体系及激励手段，持续扩充研发与技术团队，尤其重视国内存储设计人员培养及运营管理团队的建设。  如公司现有团队不能持续提升经验积累，或公司使命、价值观及各类激励手段不足以保障现有研发团队的稳定性及持续扩充研发技术人员，将影响公司核心竞争力和持续创新能力。  ②技术升级导致产品迭代风险  集成电路设计行业产品更新换代及技术升级速度较快，持续研发新技术、推出新产品是集成电路设计公司在市场中保持优势的重要手段。  NAND Flash、NOR Flash 及 DRAM 仍为市场主流存储芯片，同时新型存储芯片技术亦不断涌现。  存储行业中，NAND Flash 系列中的中小容量产品围绕着高可靠性方向发展，大容量产品围绕着 3D NAND Flash 方向发展，两者具备不同性能，因而应用于不同应用场景，基本不存在相互替代效应；NOR Flash 凭借擦写次数多、读取速度快、芯片内可执行等特点主要通过提升产品性能、拓展应用场景来扩大市场；DRAM 产品通过不断提升制程、提升性能来打开市场。  近年来，新型存储技术如 MRAM（磁阻存储器）、RRAM（阻变存储器）、PRAM（相变存储器）、FRAM（铁电存储器）不断发展，其特殊材料和存储结构可在多方面提升存储器性能，目前新型存储器过高的成本或较大的工艺难度，尚未实现规模化和标准化。  目前，存储行业内企业主要根据市场需求和工艺水平对现有技术进行升级迭代，以持续保持产品竞争力。未来如公司技术升级进度或成果未达预期、未能准确把握行业发展趋势，同时如果新型存储技术成熟并达到规模化量产并形成商业化产品，将影响公司市场竞争力并错失发展机会，可能对公司未来业务发展造成不利影响。  ③研发风险  公司主营业务为存储芯片的研发、设计和销售。存储芯片产品需要经历前期的技术论证及后期的不断研发实践，周期较长。如果公司未来不能紧跟行业前沿需求，正确把握研发方向，可能导致产品定位偏差。同时，新产品的研发过程较为复杂，耗时较长且成本较高，存在不确定性。如果公司不能及时推出契合市场需求且具备成本优势的产品，可能导致公司竞争力有所下降，从而影响公司后续发展。  ④核心技术泄密风险  公司所处的集成电路设计行业具有技术密集性的特点，核心技术对公司提高产品质量和关键性能以及保持公司在行业内的竞争优势有着至关重要的作用，是公司核心竞争力的具体体现。  为了保证核心技术的保密性，公司针对商业保密工作制定了保密制度，明确了核心技术信息的管理流程并与核心技术人员签订了保密协议、竞业禁止协议。但由于技术秘密保护措施的局限性、技术人员的流动性及其他不可控因素，公司仍可能存在核心技术泄密的风险，将对公司研发和经营造成不利影响。  （2）经营风险  ①委外加工及供应商集中度较高的风险  公司采用 Fabless 经营模式，公司产品生产相关环节委托晶圆代工厂、封测厂进行。由于集成电路行业的特殊性，晶圆代工厂和封测厂属于重资产企业而且市场集中度较高。  公司晶圆代工厂主要为中芯国际和力积电，封测厂主要为宏茂微、华润安盛、南茂科技、AT Semicon 等公司，在晶圆代工厂及封装测试厂方面均集中度较高。  未来如果晶圆价格、委外加工费用大幅上升或公司主要供应商经营发生重大变化或合作关系发生变化，导致公司供货紧张、产能受限或者采购成本增加，可能会对公司的日常经营和盈利能力造成不利影响。  ②境外经营风险  公司推行全球化的研发设计和市场销售布局，报告期内公司的境外业务主要集中在韩国、欧洲、美国等国家和地区。  未来如果境外各区域的市场环境、法律环境、政治环境等因素发生变化，或公司国际化运营能力不足，将对公司未来经营情况造成不利影响。  （3）财务风险  ①业绩波动风险  宏观经济环境的波动、国家产业政策的变化、集成电路行业景气度的周期性变化、行业竞争的加剧等原因可能导致市场对公司主要产品供需关系发生变化，进而导致公司销售收入、毛利率和利润波动等风险。  ②存货跌价风险  公司存货主要由原材料、委托加工物资、库存商品等构成。公司根据自身库存情况和客户的需求，并结合对市场的预测拟定采购计划。报告期各期末，公司存货的账面价值为 66,824.84 万元，占总资产的比例为 15.46%，占比较高。  存储芯片产品属于通用性产品，受宏观经济周期、下游终端需求、主要供应商产能等因素影响，价格呈现周期性波动。报告期内，受市场行情整体下行影响，存储芯片价格降幅较大，报告期末形成存货跌价准备余额 16,757.06 万元。  如果未来公司客户需求、市场竞争格局发生变化，价格持续下行，或公司未能有效拓宽销售渠道，使得库存产品滞销，可能导致存货库龄变长、可变现净值降低，公司将面临存货跌价的风险。  （4）行业风险  公司为客户提供 NAND Flash、NOR Flash 及 DRAM 等存储芯片，产品覆盖了网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等多个领域。  受全球宏观经济的波动、行业景气度等因素影响，集成电路行业特别是存储芯片行业存在一定的周期性，存储芯片市场与宏观经济整体亦密切相关。如果宏观经济波动较大，存储芯片的市场需求也将随之受到影响；另外下游市场需求的低迷亦会导致存储芯片的需求下降，进而影响存储芯片企业的盈利能力。宏观经济环境以及下游市场的整体波动可能对公司的经营业绩造成一定的影响。  （5）宏观环境风险  近年来国际贸易环境的不确定增加，中美贸易摩擦不断加剧，部分国家采取激进的贸易保护措施，使得我国部分产业发展受到冲击。集成电路行业具有典型的全球化分工合作的特点，若国际贸易环境进一步恶化、各国贸易摩擦进一步升级、全球贸易保护主义持续升温，则可能对公司所处的集成电路产业链产生不利影响，造成产业链上下游交易成本增加，从而可能对公司的经营带来负面影响。  四、重大违规事项  五、主要财务指标的变动原因及合理性  主要财务指标的变动原因及合理性：      主要会计数据                      /2022 年末          /2021 年末         （%）     营业收入（万元）           114,600.09        113,428.13         1.03归属于上市公司股东的净利润（万元）          18,543.22      26,179.62         -29.17归属于上市公司股东的扣除非经常性损    益的净利润（万元）经营活动产生的现金流量净额（万元）      -26,101.76         11,752.21         -322.1归属于上市公司股东的净资产（万元）      393,075.26        382,025.27           2.89      总资产（万元）          432,358.71        417,842.80           3.47     主要会计数据       2022 年度        2021 年度       增减变动幅度（%）   基本每股收益（元/股）         0.42             0.77                -45.45   稀释每股收益（元/股）         0.42             0.77                -45.45扣除非经常性损益后的基本每股收     益（元/ 股） 加权平均净资产收益率（%）         4.74            29.49    减少 24.75 个百分点扣除非经常性损益后的加权平均净    资产收益率（%）研发投入占营业收入的比例（%）        9.63             6.60    增加 3.03 个百分点  上述主要会计数据与财务指标的变动原因如下：年同期相比微增。比减少 29.17%，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 16,485.63万元，同比减少 35.42%，主要系：  （1）研发费用增长：本期随着研发项目的新增和现有项目的展开，研发人员、研发设备等均较去年同期有所增加；     （2）计提的存货跌价准备增长：受下游应用市场需求疲软的影响，公司部分产品市场价格持续下滑，根据企业会计准则规定，经谨慎性考虑后，对存在减值迹象的存货计提跌价准备。产能。少 45.45%，扣除非经常性损益后的基本每股收益 0.37 元/股，较上年同期减少增加所致。     六、核心竞争力的变化情况     公司自成立以来，专注于中小容量存储芯片的独立研发与设计，先后被评定为上海市高新技术企业、国家级“专精特新”小巨人企业等。公司经过多年积累，在技术、供应链、质量、服务、人才等方面形成了竞争优势，并在报告期内持续强化。公司核心竞争力分析如下：     （1）完善的研发体系及持续的技术创新能力     公司基于研发团队多年对电路设计、工艺制造、封装测试等环节从业经历与经验，以客户需求为导向，建立了产品线短、中、长期的多层次开发计划，持续完善研究开发的系统化平台，为后续产品迅速迭代及平台工艺演进打下坚实基础。     经过多年的技术积累和研发投入，公司在 NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术，在实际研发过程中不断积累经验，形成了多项核心技术。     （2）稳定可靠的供应链体系     公司秉持“本土深度、全球广度”的供应链布局，在搭建和完善自主可控的国产化供应链体系的同时，与国内外的供应商建立了互助、互利、互信的合作关系，保证了供应链运转效率和产品质量。报告期内，公司进一步优化产业链结构，加深与中芯国际与力积电两家国际一流大厂的合作范围与深度，公司与战略合作伙伴中芯国际在高可靠性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上开展了多年的深度技术合作，与此同时，也在测试模型和测试向量上加大研发投入，提高了晶圆的产品良率和生产效率。公司与宏茂微、华润安盛、南茂科技、AT Semicon等境内外知名封测厂建立了稳定的合作关系，可以为客户提供多样化的芯片封装选择。  （3）完善的质量和服务体系  公司以“品质”、“竞争力”、“客户满意”、“持续改进”为公司质量方针，不断优化服务流程和运营系统，持续提升相应的产品质量与服务质量管理体系，能够为全球客户第一时间提供高效的服务支持。报告期内，公司完善了项目管理系统，实现了客户反馈的电子化管理平台，建立了车规质量管理体系，持续加强产品可靠性及生产制程的监控力度。  公司建立了优秀的客户服务团队，将客户服务理念贯穿到产品研发至售后的各个环节，在内部形成良好的处理闭环，并持续提升客户服务管理能力。  （4）优秀的人才队伍  集成电路设计属于技术密集型行业，人才是集成电路设计企业研发能力不断升级的基石。公司高度重视半导体领域尤其是研发和管理领域人才的培养，积极招募行业内资深人才，建立了经验丰富、底蕴深厚的人才团队。  截至报告期末，公司拥有研发与技术人员 130 人，占公司总人数的 55.56%，其中本科及以上学历人数占比约 94.62%，研发团队拥有丰富的研发经验。公司的市场、运营等其他部门的核心团队均拥有行业内知名公司多年的工作经历，具有丰富的产业经验和专业的管理能力。  （5）自主清晰的知识产权  公司高度重视知识产权的自主性与完整性，经过多年持续不断的研发和创新，拥有覆盖主流存储芯片领域的多项发明专利、集成电路布图设计权、软件著作权等知识产权，相关知识产权自主完整、权属清晰。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利 70 项、软件著作权 13 项、集成电路布图设计权 68 项、注册商标 11 项。   七、研发支出变化及研发进展     报告期内，公司申请发明专利 63 项（其中中国发明专利 26 项，韩国发明专利 27 项，美国发明专利 4 项，PCT 国际阶段发明专利申请 6 项）；申请集成电路布图设计权 13 项，获得集成电路布图设计权 20 项；申请注册商标 1 项，获得注册商标 2 项；申请软件著作权 1 项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利告期末，公司累计申请境内外专利 150 项，获得专利授权 69 项，专利涉及 NANDFlash、NOR Flash、DRAM 等存储芯片的设计核心环节，公司技术实力不断提升。     报告期内获得的知识产权列表：                     本年新增                             累计数量     项目            申请数（个）      获得数（个）               申请数（个）         获得数（个）发明专利           63                0             150             69实用新型专利           0               0              0               0外观设计专利           0               0              0               0软件著作权            1               0             14              13其他             14                22            85              79     合计        78                22            249             161  注：“其他”指集成电路布图设计权与注册商标。                                                              单位：万元          项目                本年度              上年度           变化幅度（%）费用化研发投入                     11,031.93         7,481.38               47.46资本化研发投入                                 0             0                 0研发投入合计                      11,031.93         7,481.38               47.46研发投入总额占营业收入比例（%）                      9.63          6.60   增加 3.03 个百分点研发投入资本化的比重（%）                           0             0                 0    本期随着研发项目的新增和现有项目的展开，研发人员、研发设备等均较上期有所增加。                                                                 单位：万元                                                                      具体序             预计总投        本期投        累计投入       进展或阶   拟达到       技术    项目名称                                                              应用号              资规模        入金额         金额        段性成果   目标        水平                                                                      前景                                                                      通讯                                                       研发更            设备、                                                       先进制            安防                                                        程的            监控、    NAND                                                         国际    Flash 系                                                      领先                                                       NAND           戴设    列产品                                                       Flash 芯        备、移                                                          片           动终                                                                       端                                                                      通讯                                                       研发更                                                                      设备、                                                        低成                                                                      安防                                                                      监控、    NAND                                        部分产品   高性能       国内    Flash 系                                      已量产   的 SLC     领先                                                                      戴设    列产品                                                NAND                                                                      备、移                                                       Flash 芯                                                                      动终                                                          片                                                                       端                                                                      通讯                                                       研发更                                                                      设备、                                                        低成                                                                      安防                                                                      监控、    NAND                                        部分产品   高性能       国内    Flash 系                                      已量产   的 SLC     领先                                                                      戴设    列产品                                                NAND                                                                      备、移                                                       Flash 芯                                                                      动终                                                          片                                                                       端                                                       研发更            通讯                                                        低成            设备、                                                       本、更            安防     NOR                                        部分产品             国际    Flash 系                                      已量产             领先                                                       的 NOR          可穿    列产品                                                       Flash 芯        戴设                                                          片           备、移                                                                            动终                                                                             端                                                                            通讯                                                             补齐产                                                                            设备、                                                             品线，                                                                            安防                                                                            监控、     NOR                                                      提升       国内    Flash 系                                                   NOR      先进                                                                            戴设    列产品                                                      Flash 产                                                                            备、移                                                             品丰富                                                                            动终                                                                度                                                                             端                                                             研发第                                                             四代低                                                              功耗                                                             DDR 产                                                             品，实       国内                                                               现       领先    LPDDR4x                                                                 模块                                                             LPDDR                                                             系列产                                                             品升级                                                             迭代。                                                                            通讯                                                             对现有            设备、      其他                                                     DRAM           可穿                                                                       国内                                                                       先进      品                                                      行持续            备、移                                                              升级            动终                                                                             端                                                              符合                                                             AEC 国                                                  部分产品       际车规            车联                                                   已通过       认证标       国内   网、仪                                                  AEC-Q100   准，并       领先   表盘                                                    验证       符合车             等                                                             规客户                                                              要求合       /      63,513.88   11,031.93   28,468.93      /          /      /     /计    八、新增业务进展是否与前期信息披露一致    不适用。  九、募集资金的使用情况是否合规  截至 2022 年 12 月 31 日，发行人募集资金累计使用及结余情况如下：           项目                  序号           金额（万元）实际募集资金到位金额                      A             308,581.64减：审计验资费、律师费等发行费用                B               2,223.48募集资金净额                        C=A-B           306,358.16期初实际结余募集资金余额                    D             279,320.88加：现金管理收益、利息收入扣减手续费净额            E               3,495.70减：募集项目支出                        F               2,681.69 募集资金置换                         G               6,442.82 支付审计验资费、律师费等发行费用               H               2,223.48 补充流动资金转出                       I              69,300.00 使用募集资金进行现金管理                   J              65,800.00 结余募集资金余额                 K=D+E-F-G-H-I-J     136,368.59 实际结余募集资金余额                     L             136,368.59 差异                           M=K-L                    -  公司 2022 年度募集资金存放与使用情况符合《证券发行上市保荐业务 管    《上市公司监管指引第 2 号——上市公司募集资金管理和使用的监 管理办法》、要求》、   《上海证券交易所科创板股票上市规则》、                     《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第 1 号——规范运作》等法律法规和制度文件的规定，对募集资金进行了专户存储和专项使用，并及时履行了相关信息披露义务，募集资金具体使用情况与公司已披露情况一致，不存在变相改变募集资金用途和损害股东利益的情况，不存在违规使用募集资金的情形，募集资金管理和使用不存在违反国家反洗钱相关法律法规的情形。  十、控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员的持股、质押、冻结及减持情况  截至 2022 年 12 月 31 日，东芯股份控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员持有东芯股份的股份均不存在质押、冻结及减持的情形。  十一、上市公司是否存在《保荐办法》及上海证券交易所相关规则规定应向中国证监会和上海证券交易所报告或应当发表意见的其他事项  经核查，截至本持续督导跟踪报告出具之日，上市公司不存在按照《保荐办法》及上海证券交易所相关规则规定应向中国证监会和上海证券交易所报告或应当发表意见的其他事项。  （以下无正文）（本页无正文，为《海通证券股份有限公司关于东芯半导体股份有限公司 2022年度持续督导年度跟踪报告》之签字盖章页）保荐代表人签名：            张   坤         陈   城                          海通证券股份有限公司                                  年   月   日查看原文公告